Lámina de plástico antiestática ESD fabricada y probada de forma

 Descarga electrostática (ESD: Electrostatic Discharge), debe ser la causa de todos los componentes electrónicos o sistema de circuito integrado causado por el estrés eléctrico excesivo (EOS: Electrical Over Stress) destrucción de la principal culprit.Because electricidad estática suele ser muy alta instantánea (varios kilovoltios>), este daño es destructivo y permanente, causando un circuito directo burn down.Therefore, la prevención de daños estática es el problema número uno en todo el diseño y fabricación de IC.

Electrostática, por lo general todo se genera artificialmente, tales como la producción, montaje, pruebas, almacenamiento, se puede hacer en el proceso de electrostática acumulada en el cuerpo humano, la manipulación, instrumento o equipo, incluso los componentes se acumulan electricidad estática, cuando la gente sin darse cuenta de hacer el contacto objeto cargado formará la ruta de descarga, al instante haciendo componente electrónico o sistema fue dañado por descarga electrostática (esta es la razón por la computadora anterior debe usar anillo electrostático en la mesa de trabajo, evitar que los chips de daño electrostático humanos), como la carga eléctrica almacenada en la nube en un instante un rayo dramático a través de las nubes, la tierra se abriría,Y por lo general todo en el día de lluvia, porque la humedad del aire es fácil de formar conductor para.

Norma ESD y método de prueba: de acuerdo con el modo de generación electrostática y el modo de daño del circuito se suele dividir en cuatro métodos de prueba: modo de descarga del cuerpo humano (HBM: human-body Model), modelo de máquina (Machine Model), modo de carga de componentes (CDM: chargeable Device Model), FIM: field-induced Model), pero la industria suele utilizar los dos primeros modelos para realizar las pruebas (HBM, MM).

1. Modo de descarga humana (HBM)
Es la fricción del cuerpo humano la que crea la carga eléctrica. De repente, la carga eléctrica liberada por el chip hace que éste se queme y se rompa. También hay rastros de normas ESD para HBM en la industria (MIL-STD-883C método 3015.7, la capacitancia humana efectiva es de 100pF, la resistencia humana efectiva es de 1..5Kohm), o la norma internacional de la industria electrónica (EIA/JESD22-A114-A) también tiene disposiciones, que uno quiere seguir.Si mil-STD-883C método 3015.7 se adopta, se especifica la clase-1 para aquellos menos de <2kV y clase-2 para aquellos entre 2kV y 4kV y clase-3 para aquellos entre 2kV y 4kV.

2. Modo de descarga de la máquina (MM)
Por supuesto, el pin pin se libera cuando la electricidad estática generada por el movimiento de la máquina (como robot) toca el chip, la segunda norma es EIAA-IC-121 método 20(o estándar EIA/ JESD22-A115-a), la resistencia de, y la máquina efectiva es 0(debido al metal), y la capacitancia sigue siendo 100pF.Dado que la máquina es de metal y la resistencia es 0, el tiempo de descarga es muy corto, casi entre Ms o US.Sin embargo, el problema más importante es que, dado que la resistencia efectiva de, y es 0, la corriente es muy grande, por lo que incluso la descarga de 200V MM es más perjudicial que la de 2kV HBM.Y la máquina en sí tiene una gran cantidad de cables de acoplamiento entre sí, por lo que la corriente va a cambiar con el cambio de interferencia de tiempo,ESD método de prueba similar a la del interior de la prueba FAB GOI, después de que el pin especificado para darle un voltaje de ESD, por un período de tiempo, y luego volver a la prueba eléctrica ver si está dañado, no hay problema para añadir un paso por un período de tiempo, el voltaje de ESD y la medición eléctrica, por lo que hasta la ruptura, en este momento la ruptura de la tensión de ruptura crítica para el voltaje de ESD (ESD voltaje umbral de fallo).Generalmente, aplicamos 3 zAPS al circuito tres veces. Con el fin de reducir el ciclo de prueba, el voltaje inicial generalmente UTILIZA el umbral ESD de 70% del voltaje estándar. Cada paso se puede ajustar por sí mismo según las necesidades de 50V o 100V.